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FF150R12RT4

发布时间:2019/9/10 15:53:00 访问次数:137 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

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制造商: Infineon
苹果彩票平台开户注册种类: IGBT 模块
RoHS: N
苹果彩票平台开户注册: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 275 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
苹果彩票平台开户注册类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF200R12KS4


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