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CSD17313Q2T

发布时间:2019/9/12 11:21:00 访问次数:36 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

FET 类型 N 通道
苹果彩票优选平台 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,8V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.7nC @ 4.5V
Vgs(最大值) +10V,-8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Ta), 17W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-WSON
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公司名:深圳市裕硕科技有限公司


联系人:雷先生


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